Найден метод подавления эффекта квантового туннелирования, мешающего дальнейшей миниатюризации современных транзисторов

Молекула в промежутке


На страницах нашего сайта мы достаточно часто упоминали о так называемом эффекте квантового туннелирования. Этот эффект заключается в том, что электроны начинают беспрепятственно "перепрыгивать" через изолирующий промежуток, когда ширина этого промежутка становится меньше определенной величины, 3 нанометров. И именно этот эффект является на сегодняшний день главным препятствием, которое не дает сделать транзисторы еще меньшими и, следовательно, более эффективными и быстрыми.

Не так давно исследователи из Columbia Engineering синтезировали специальную молекулу, присутствие которой позволяет подавить эффект квантового туннелирования. Эти молекулы могут быть помещены в изоляционном промежутке нанометровой толщины и они работают гораздо эффективней вакуумного барьера, который является традиционным подходом.

Наличие молекул, основой которых являются атомы кремния, создает так называемое "разрушительное квантовое вмешательство", которое в чем-то подобно эффекту подавления электромагнитных волн. Такое подавление получается, когда максимумы и минимумы двух волн находятся строго в противофазе относительно друг друга, и в результате сложения таких волн колебания полностью подавляются.

"Мы уже давно достигли той точки, когда традиционные методы изоляции электродов транзисторов перестают работать" - рассказывает Лэта Венкэтарамен (Latha Venkataraman), ученая-физик, - "Для дальнейшей миниатюризации элементов транзисторов требуются новые творческие и уникальные решения. И нам удалось найти одно из таких решений, которое сможет обеспечить дальнейшие прорывы в области высокопроизводительной электроники".




Ключевые слова:
Квантовое, Туннелирование, Электрон, Промежуток, Барьер, Молекула, Кремний, Транзистор, Размер

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Эффект квантового туннелирования позволит эффективно превращать в электриче ...
  • Двухслойный графен - основа высокоскоростных туннельных транзисторов нового ...
  • Созданы наноэлектронные схемы, работающие в 10 тысяч раз быстрее схем совре ...
  • Созданы первые транзисторы, не содержащие полупроводниковых материалов
  • Сенсорные экраны приобрели чувствительность к силе прикосновения.




  • Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.