|  | 30 сентября 2011 | Электроника и полупроводники

FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.

Структура памяти FeTRAM


Исследователи из университета Пурду разработали совершенно новый тип компьютерной энергонезависимой памяти, которая близка по быстродействию к памяти, которая используется в современных компьютерах, и которая потребляет гораздо меньше энергии, чем устройства на базе флэш-памяти. Технология памяти FeTRAM основана на комбинации кремниевых нанопроводников с сегнетоэлектрическим полимерным материалом, который меняет свою поляризацию при приложении электрического поля соответствующей полярности. Поляризация материала может быть без труда прочитана как 1 и 0, что позволяет хранение информации в двоичном виде.

Новая технология FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) несколько подобна технологии FeRAM (Ferroelectric Random Access Memories), технологии, которая сейчас используется в некоторых запоминающих устройствах. Однако, в новой технологии используется сегнетоэлектрический транзистор вместо конденсатора, что означает, что информация из ячейки может быть прочитана без разрушения самой информации.

Схема ячейки памяти FeTRAM


Опытные образцы ячеек памяти FeTRAM, изготовленные в лабораторных условиях, потребляют значительное количество энергии. Ученые объясняют это тем, что структура ячеек еще не оптимизирована, а сами ячейки были изготовлены буквально "на коленях". Но, согласно проведенным расчетам, память FeTRAM будет потреблять только один процент от количества энергии, потребляемой современной флэш-памятью. Но по быстродействию, благодаря своей организации, память FeTRAM будет приближаться к памяти SRAM, используемой сегодня во всех компьютерах. Поэтому новая память имеет неплохой шанс стать заменой обычным типам современной памяти.

Производство памяти FeTRAM может быть легко организовано с применением современных промышленных технологических процессов производства полупроводников (complementary metal oxide semiconductors, CMOS), которые повсеместно используются для производства компьютерных чипов.

В настоящее время ученые, разработавшие память FeTRAM, подали патентную заявку на это изобретение.




Ключевые слова:
FeTRAM, FeRAM, SRAM, Память, Энергонезависимая, Хранение, Данные, Скорость, Транзистор, Конденсатор

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Создан новый материал, который может кардинально повысить плотность хранени ...
  • Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памя ...
  • Компания Thinfilm представляет первую печатную энергонезависимую память.
  • Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2 ...
  • На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.




  • 30 сентября 2011 07:57
    #1 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 3870
    Блин, каждый день изобретают какую-то новую память. И где она?


    --------------------
        
    30 сентября 2011 09:57
    #2 Написал: volod

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1489
    FomaNeverujuwij, ищет спонсоров)
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.