|  | 17 августа 2012 | Электроника и полупроводники

Ученые сделали элементы транзисторной логики и логические элементы из нелегированный кремниевых нанопроводников.

Строение транзистора на основе кремниевых нанопроводов


Французские исследователи успешно изготовили транзисторы и два типа диодов из нелегированных кремниевых нанопроводов (undoped silicon nanowires, SiNW), объеденив их в единый элемент, реализующий логическую функцию И-НЕ. Электронные приборы нанометрового масштаба, изготовленные из кремниевых нанопроводов, в последнее время привлекают к себе все большее внимание со стороны ученых. Применение таких полупроводниковых приборов обещает существенное уменьшение размеров электронных схем, что является немаловажным фактором для электронной, оптоэлектронной и биохимической промышленности.

В отличие от технологии фотолитографии, которая в настоящее время является основной технологией производства электронных полупроводниковых чипов, технология с использование кремниевых нанопроводов легко позволит производить устройства на наноуровне. Что же мешает производить устройства наноуровня обычным методом? Главным препятствием является то, что электрические свойства кремния сильно зависят от концентрации и точного местоположения в них присадок. На большем уровне технологические отклонения уравниваются и произведенный полупроводник обладает некоторыми "усредненными" характеристиками. Такого усреднения очень трудно, а порой и просто невозможно, добиться в более мелком масштабе, в масштабе нано-устройств.

Структура логического элемента


Поэтому, одним из альтернативных вариантов является вариант использования нелегированного кремния, крения, не содержащего примесей. Но и у этого варианта есть несколько проблем, препятствующих его дальнейшему внедрению. Самой большой проблемой является создание низкоомных контактов между металлом и кремнием. В месте соединения всегда имеет место быть эффект, который называется барьером Шоттки.

Французские исследователи решили эту проблему с помощью наненсения покрытия из силицида никеля частей кремниевых нанопроводов. Это покрытие, нанесенное в месте соприкосновения с металлическими проводниками, предотвращает формирование барьеров Шоттки и делает возможным формирование достаточно сложных электронных полупроводниковых устройств.




Ключевые слова:
Полупроводник, Кремний, Присадка, Примесь, Транзистор, Диод, Нанопроводник, Нанопровод, Барьер, Шоттки, Покрытие

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Использование кремниевых нанопроводников позволяет утроить емкость и сократ ...
  • Создан новый метод производства графеновых транзисторов.
  • Новые электронные схемы, нечувствительные к радиации, могут работать на ава ...
  • Первый в мире транзистор без p-n переходов сможет перевернуть всю электронн ...
  • Новый «электронный клей» позволит производить менее дорогие полупроводники.




  • 17 августа 2012 09:26
    #1 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 3857
    Структура транзистора выглядит достаточно сложно. Очевидно могут возникнуть трудности с производством таких транзисторов и надежностью их работы. Хотя, могут и не возникнуть..


    --------------------
        
    17 августа 2012 09:54
    #2 Написал: Молочный

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    главное что не сказали-то! в чем суть технологии промышленного производства?! как они изготовили их, тунельным микроскопом? и сколько тогда будет один чип стоить, 1млн долларов? smile
    ibm как минимум уже лет 10 в любую позу может полупроводники поставить, и лабораторные нано-транзисторы у нее на 100 Гц работают, но толку? технологии промышленной штамповки нет...
    новость ни о чем.
        
    18 августа 2012 05:29
    #3 Написал: paralolka

    Публикаций: 0
    Комментариев: 85
    не знал что туннельным микроскопом можно что-либо изготавливать.
        
    18 августа 2012 10:10
    #4 Написал: adnnin

    Публикаций: 0
    Комментариев: 142
    Это позволит создать новый тип процессора!
    Когда логические элементы размазаны как в глубину чипа, так и по слоям!

    осталось придумать высокоскоростное лагирующее устройство с наноточностью рисующее на сетке нанаслоев кремния логику процессора)
        
    18 августа 2012 11:28
    #5 Написал: Молочный

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    Цитата: paralolka
    не знал что туннельным микроскопом можно что-либо изготавливать.


    ооо! вас еще ждет много интересного в мире современной науки и техники ;) присоединяйтесь:

    "Если когда научному сообществу и требовались доказательства реальности нанотехнологии, Дон Айглер и Эрхард Швайцер привели такое доказательство в выпуске Nature от 5 апреля 1990 года. Ученые, работавшие в исследовательском центре IBM в Калифорнии, использовали сканирующий туннельный микроскоп для перемещения по металлической поверхности индивидуальных атомов. Таким образом они создали, возможно, самый популярный образ нанотехнологии - буквы IBM, написанные на никелевой поверхности 35 атомами ксенона."

    http://www.nanometer.ru/2010/04/16/12714116836654_212675/BPROP_IMG_images_3/1.JP
    G#
        
    19 августа 2012 16:43
    #6 Написал: nobolu

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    Ждём новых научных успехов в этом направлении.
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.