|  | 14 декабря 2012 | Электроника и полупроводники

Создан самый маленький транзистор из арсенида галлия

MOSFET-транзистор из арсенида галлия-кремния


Исследователи из Массачусетского технологического института сообщили о том, что им удалось изготовить самый маленький на сегодняшний день MOSFET-транзистор, сделанный из арсенида галлия-индия, который имеет размер всего в 22 нанометра. Исследователи надеются, что такие транзисторы, когда они войдут в массовое применение, могут обеспечить истинность закона Гордона Мура еще на достаточно продолжительное время.

"Мы продемонстрировали, что любой производитель полупроводниковых приборов может выпускать чипы на основе MOSFET-транзисторов из арсенида галлия-индия, который обладает превосходными скоростными характеристиками работы в цифровых логических схемах. Это должно обеспечить истинность закона Гордона Мура еще достаточно долгое время после того, как возможности кремниевой электроники в этом направлении будут исчерпаны" - рассказал Джесус дель Аламо (Jesus del Alamo), профессор электротехники и информатики, возглавлявший группу, разработавшую и изготовившую новый транзистор, на Международной конференции по электронным приборам (IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM), проходившей недавно в Сан-Франциско.

Международная организация International Technology Roadmap for Semiconductors уже достаточно давно определила направление использования MOSFET-транзисторов из арсенида галлия-индия, как одно из наиболее перспективных направлений развития электроники. Но у некоторых специалистов возникают сомнения в том, что транзисторы, разработанные в Массачусетском технологическом институте будут оптимальным решением с точки зрения технологичности их производства.

Исследователи из ЭмАйТи использовали процесс электроннолоучевой литографии для того, что бы точно сделать все элементы крошечного транзистора, а известно, что использование подобного подхода не приемлемо при промышленном производстве. Все чипы, изготавливаемые на сегодняшний день, производятся с помощью технологии ультрафиолетовой литографии и в течении следующего десятилетия можно ожидать только переключения технологий литографии с на более коротковолновую часть ультрафиолетового света.

Помимо всего вышесказанного новый транзистор был изготовлен на подложке из фосфида индия, который является более хрупким и менее прочным материалом, нежели кремний, используемый в настоящее время. Таким образом, пока ученые не придумают, как изготавливать MOSFET-транзисторы на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, не стоит и думать о практическом применении таких транзисторов, несмотря на их замечательные качества и превосходные характеристики.

Несмотря на все это, нанотранзистор, разработанный исследователями Массачусетского технологического института, является большим шагом вперед. Но для того, что бы сделать огромный качественный прорыв в области электроники потребуется сделать еще много подобных шагов.




Ключевые слова:
MOSFET, Транзистор, Полупроводник, Арсенид, Галлий, Индий, Кремний, Скорость, Закон, Гордона Мура, Электроника Литография

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Процесс выращивания полупроводниковых кристаллов поможет соблюсти закон Гор ...
  • Созданы мощные полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия, которые ...
  • Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Горд ...
  • Создан нанопроводниковый 4D-транзистор, имеющий форму новогодней елки
  • Создан новый метод производства графеновых транзисторов.




  • 14 декабря 2012 09:25
    #1 Написал: TheUniverseOfDeath

    Публикаций: 0
    Комментариев: 153
    Даешь редкоземельные металлы в массы! Бред, имхо.
        
    14 декабря 2012 21:15
    #2 Написал: gendalf

    Публикаций: 0
    Комментариев: 617
    ЭмАйТи

    MIT
    зачем писать произношением по русски -_-
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.