Компания GlobalFoundries добивается прогресса в деле производства трехмерных чипов

Структура трехмерного чипа


Представители компании GlobalFoundries, одного из самых известных производителей электронных полупроводниковых чипов мирового уровня, объявили, что специалистам компании удалось успешно создать первые кремниевые подложки, рассчитанные на 20-нм технологический процесс, с интегрированными переходными токопроводящими отверстиями (Through-Silicon Vias, TSV), которые являются ключевыми элементами при создании многослойных трехмерных полупроводниковых чипов. Эти подложки были изготовлены на наиболее высокотехнологичном опытном участке фабрики Fab 8 компании GlobalFoundries , располагающейся в городе Саратога, по передовому технологическому процессу 20nm-LPM, который впоследствии будет использоваться для изготовления трехмерных чипов нового поколения, обладающих высочайшей производительностью, низким потреблением энергии и низким количеством выделяемого тепла.

Переходные отверстия TSV - это вертикальные переходные отверстия, сделанные в кремниевой подложке, которые заполнены токопроводящим материалом. Эти отверстия позволят реализовать передачу энергии и электрических сигналов между вертикально расположенными относительно друг друга слоями интегральных схем. Организация чипов в виде трехмерных структур все чаще и чаще рассматривается как перспективная альтернатива традиционным технологическим решениям, в которых транзисторы электронных схем чипов располагаются на одной плоской поверхности единственной подложки. Однако, изготовление переходных отверстий TSV было ранее сопряжено с многими технологическими трудностями, поэтому пока еще технологии производства трехмерных чипов так и не вышли за рамки опытных производств и образцов.

В разработанной специалистами компании GlobalFoundries технологии изготовление отверстий TSV в кремнии подложки производится в середине технологического цикла. Отверстия изготавливаются после проведения операций, соответствующих первому этапу цикла, Front End of the Line (FEOL), и перед началом выполнения заключительных операций этапа Back End of the Line (BEOL). Такой подход позволил избежать воздействия высоких температур, что, в свою очередь, сделало возможным использование меди в качестве материала для заполнения отверстий TSV. Для решения отдельных проблем, связанных с переходом от 28-нм к 20-нм технологическому процессу, специалисты компании Globalfoundries разработали собственную систему защиты контактов, которая позволила минимизировать локальные разрушения кремниевой подложки в месте создания переходного отверстия по технологии 20nm-LPM.

"Исследователи из различных организаций уже в течение лет работают в направлении создания трехмерных чипов, но наше достижение является знаком того, что все обещания исследователей вскоре станут действительностью" - рассказал Дэвид Маккэнн (David McCann), вице-президент компании GlobalFoundries, - "Нашими следующими шагами станут шаги по модернизации некоторых участков фабрики Fab 8, по завершении испытаний которых мы начнем производство и отгрузку нашим клиентам готовых подложек с сделанными в них переходными отверстиями TSV, что позволит им наладить производство собственных трехмерных чипов в ближайшем будущем".




Ключевые слова:
Globalfoundries, Трехмерный, Чип, Слой, Кремний, Подложка, Переходное, Отверстие, Through-Silicon Vias, TSV, Технологический, Процесс, Производство

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Новая 5-нм технология компании IBM позволит упаковать 30 миллиардов транзис ...
  • Процесс выращивания полупроводниковых кристаллов поможет соблюсти закон Гор ...
  • Новая технология микроскопии облегчит разработку и обеспечит контроль произ ...
  • Разработана технология промышленного производства микропроцессоров с объемн ...
  • В MIT разработали быстродействующие гибридные чипы.




  • 4 апреля 2013 07:21
    #1 Написал: Oleggg10

    Публикаций: 0
    Комментариев: 35
    вот она... никаких излишеств. Кубический "толстый" процессор придаст мозгов нашим роботам-помощникам.
        
    4 апреля 2013 13:33
    #2 Написал: gendalf

    Публикаций: 0
    Комментариев: 617
    греться наверно сильно будут, внутрь кулер ведь не засунешь..
    однако это переходный шаг до полностью трехмерных
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.