|  | 16 октября 2013 | Электроника и полупроводники

Компания Bluestone Global Tech выпустила экспериментальные чипы с графеновыми транзисторами Grat-FET

Чип с транзисторами Grat-FET


Американская компания Bluestone Global Tech (BGT), занимающаяся исследованиями в области технологий получения и использования графена, выпуском высококачественных графеновых пленок и экспериментальных приборов на основе этого материала, объявила о создании опытных образцов чипов, содержащих графеновые полевые тразисторы (Field-Effect Transistors, FET), изготовленные по фирменной технологии компании BGT под названием Grat-FET. Каждый из чипов содержит по 36 транзисторов Grat-FET, разбитые на 9 групп по длине и ширине графенового канала транзистора, что позволяет получить широкий набор электрических и скоростных характеристик транзисторов, что, в свою очередь, позволит использовать эти чипы для проведения самых различных исследований и экспериментов.

Кремниевая подложка с чипами


Основой чипа Grat-FET является тонкая кремниевая пластина, покрытая изолирующим слоем окиси кремния SiO2, толщиной около 300 нанометров. В качестве канала полевого транзистора используется кусок наноленты из высококачественного графена Grat-M, который выпускается компанией BGT и который имеет крайне высокий показатель подвижности электронов. Гафеновый полевой транзистор Grat-FET, как и его кремниевые собраться, имеет три электрода, сток и исток, изготовленные из металла, толщина которого равна 40-50 нанометров, и нижний изолированный управляющий электрод, затвор, который представляет собой легированный участок кремния подложки.

Так как графен не является полупроводниковым материалом, то транзисторы Grat-FET имеют амбиполярные свойства, т.е. они могут проводить электрический ток в обоих направлениях, выступая в качестве транзисторов n-типа или p-типа в зависимости от полярности приложенного к затвору напряжения. Но, из-за неметаллической природы графена транзистор Grat-FET не может находиться в полностью закрытом состоянии, что обуславливает наличие достаточно сильного тока утечки транзистора, который может стать источником проблем при использовании транзистора в электронных схемах некоторых типов.

Структура транзистора Grat-FET


Несмотря на замечательные электрические и частотные характеристики графеновых транзисторов Grat-FET, большие токи утечки и некоторые другие параметры этих транзисторв еще не позволяют рассматривать их в качестве полноценной замены кремниевым транзисторам.

Выпускаемые компанией BGT чипы с матрицей графеновых транзисторов Grat-FET являются некоммерческим продуктом, который ориентирован на узкий круг специалистов, занимающихся исследованиями технологий применения графена в электронике. Будем надеяться, что усилия этих специалистов увенчаются успехом и им удастся создать новые графеновые электронные приборы, которые смогут устроить революцию в области цифровой и аналоговой электроники.




Ключевые слова:
Транзистор, Графен, Grat-M, Полевой, Канал, Grat-FET, Чип, Кремний

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Создан новый метод производства графеновых транзисторов.
  • Многослойный трехмерные графеновые транзисторы смогут стать заменой кремние ...
  • Разработан метод промышленного производства высокочастотных транзисторов на ...
  • Графеновые нанотранзисторы - путь к реализации самоохлаждающейся, энергосбе ...
  • Компания IBM демонстрирует графеновые транзисторы способные работать на час ...




  • 16 октября 2013 18:55
    #1 Написал: beany85

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1018
    Каждый из чипов содержит по 36 транзисторов Grat-FET, разбитые на 9 групп
    И всего-то? Маловато будет. Даже калькулятор на таком количестве транзисторов, наверное, с трудом соберешь, а разрабы замахиваются на:
    позволит использовать эти чипы для проведения самых различных исследований и экспериментов.


    --------------------
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.