Новый наноматериал может осуществить переворот в технологиях хранения информации.

Поверхность материала PS-b-PEO


Ученые из Университета Калифорнии, Беркли (University of California, Berkeley), и Университета Массачусетса (UMass Amherst) разработали инновационную технологию производства материала, который представляет собой полимер, состоящий из четко упорядоченных наноструктур. Если такой материал использовать в качестве носителя для хранения информации, то будет достигнута рекордная в нынешнее время плотность записи информации, около 1.7 терабита на квадратный сантиметр.

«Плотность хранения информации, полученная с помощью нашей технологии, позволит записать на один диск, размером с одну монету, содержимое около 250-ти стандартных DVD дисков», - заявил Ксу (Xu), участник команды исследователей со стороны Национальной Лаборатории Лоуренса, Беркли.

«Мы ожидаем, что эта новая технология, которую мы разработали, преобразует некоторые области микроэлектронной промышленности и отрасли запоминающих устройств и откроет перспективы для создания совершенно нового класса устройств и приложений», - рассказал один из исследователей, Томас Рассел (Thomas Russell). «Результаты нашей работы могут быть использованы при изготовлении фотогальванических элементов с высоким разрешением и низким уровнем энергопотребления».

Основой этого нового материала PS-b-PEO является, так называемый, блок-сополимеров – соединение двух или трех совершенно несходных по свойствам полимерных материалов, полистирола и полиэтиленоксида. Эти материалы, подвергнутые некоторому внешнему воздействию, формируют чрезвычайно тонкий и равномерный рисунок на поверхности материала. Эта технология, уже практически в течении десятилетия, безуспешно пыталась быть использована при производстве обычных полупроводниковых материалов, но к настоящему времени не удалось добиться каких-либо значительных успехов в этой области.

Структура материала PS-b-PEO


Разработанная технология получения упорядоченного сополимерного материала достаточно проста. На поверхность кристалла одного из доступных материалов, сапфира, наносится тонкая пленка блок-сополимеров. Поверхность кристалла сапфира обычным технологическим методом была подвергнута механической обработке, благодаря чему на поверхности кристалла были сформированы поверхности, расположенные под углом друг к другу. Далее, этот кристалл с нанесенной пленкой блок-сополимеров подвергают выдержке в течении 24 часов при температурах от 1200 до 1500 градусов Цельсия. В течении этой выдержки материал блок-сополимеров самореорганизуется и создает четкую и упорядоченную пространственную структуру с размерами одной ячейки равными около 3 нанометров.

В настоящий момент ученые занимаются совершенствованием этой технологии, подбирая температурные режимы для получения различной глубины и размеров получаемой структуры материала, что позволить использование этой новой технологии во многих отраслях промышленности и электроники.




Ключевые слова:


Другие новости по теме:
  • Создан композитный полимерный наноматериал, идеально подходящий для гологра ...
  • Разработана технология, позволяющая устранить дефекты материалов одноатомно ...
  • "Щепотка соли" позволит в шесть раз увеличить объемы жестких дисков.
  • Чип, на основе наноточечных магнитов, может хранить информацию крупной библ ...
  • Новый тип памяти может сохранять данные в течение одного миллиарда лет.

  • Цинкование металлических изделий в Днепропетровске http://www.faraday-istok.prom.ua.


    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.