Компания Canon демонстрирует первые чипы, изготовленные при помощи 11-нм технологии нанопечати

Штамп для нанопечати


На выставке Canon Expo 2015 Tokyo, которая проходила в рамках форума Tokyo International Forum с 4 по 6 ноября 2015 года, представители компании Canon Inc продемонстрировали первые полупроводниковые чипы, изготовленные при помощи 11-нанометровой промышленной технологии нанопечатной литографии (nanoimprint). И, согласно имеющейся информации, данная технология уже почти находится на стадии готовности к ее использованию в изготовлении полупроводниковых устройств и приборов следующих поколений.

Нанопечатная литография - это технология, позволяющая сформировать элементы схем и электронных приборов на кремниевом или другом основании при помощи специального штампа. Существующие технологии, основанные на обычной литографии, сталкиваются с ограничением минимальных размеров элементов и компонентов, которые накладываются длиной волны используемого света, и в данное время они уже почти вплотную приблизились к пороговому значению своей разрешающей способности. С другой стороны, у технологии нанопечати нет никаких явных ограничений, связанных с длинами волн света, что в теории может позволить при помощи таких технологий производить сколь угодно малые элементы.

Следует отметить, что специалисты компании Canon Inc продолжают разработку технологий нанопечати совместно со специалистами компании Toshiba Corp. Такое сотрудничество является успешным, о чем свидетельствуют первые пластины с 11-нм чипами, произведенные в Японии, а в ближайшем будущем обе компании сосредоточат свои усилия на коммерциализации разработанных ими технологий.

Подложка с полупроводниковыми чипами


Первые опытные образцы оборудования, использующего технологию нанопечати по нормам 20, 16 и 11-нм техпроцессов, будут готовы и отправлены производителям полупроводниковой продукции в 2016 году. А полная доводка этих новых техпроцессов до уровня их массового применения будет завершена в срок от одного до полутора лет. Таким образом, можно надеяться, что первые чипы, изготовленные при помощи 11-нанометровой наноппечатной литографии, появятся на рынке в 2017 году, если во время работы над ними не произойдет ничего экстраординарного.

Вероятнее всего, что первые образцы оборудования, использующего технологию нанопечати, будут использоваться для производства чипов NAND флэш-памяти, производство которой является достаточно сложным. Следует отметить, что технология нанопечати имеет более низкую производительность, чем обычная литография. Но новое технологическое оборудование будет намного боле компактным и недорогим, таким образом, производители, увеличивая объемы своего производства, смогут организовать параллельную работу нескольких линий без особо значительных затрат.

А в будущем, когда будут решены некоторые из главных проблем технологии нанопечати, заключающиеся в наличии на кристалле остаточной пыли и некоторых дефектов, эту технологию можно будет использовать не только для производства флэш-памяти, но и для производства чипов цифровых логических микросхем, в том числе и микропроцессоров.




Ключевые слова:
Canon, Toshiba, Нанопечать, Технология, Процесс, Размер, Элемент, Подложка, Нанопечать, Литография

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Новая 5-нм технология компании IBM позволит упаковать 30 миллиардов транзис ...
  • Технология нанопечати жидким металлом может произвести революцию в области ...
  • Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памят ...
  • Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памя ...
  • Новая технология компании Toshiba позволит увеличить емкость Flash-памяти п ...




  • 17 ноября 2015 09:49
    #1 Написал: Spiridonov

    Публикаций: 0
    Комментариев: 59
    " С другой стороны, у технологии нанопечати нет никаких явных ограничений, связанных с длинами волн света, что в теории может позволить при помощи таких технологий производить сколь угодно малые элементы."
    Видимо, автор статьи забыл, что кремниевая пластина состоит из атомов. А 11 - нанометров, значит, что элементы микросхемы уже имеют ширину всего в 47 атомов кремния. Это уже почти физический предел
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.