Создан новый тип памяти, работающий за счет изменений формы молекул

Ячейка молекулярной памяти


Современные CMOS-технологии, используемые для производства чипов и полупроводниковых приборов, уже вплотную приближаются к атомарному уровню. В соответствии с этим, к такому же уровню должны "подтягиваться" и другие технологии, что позволит размещать на кристаллах гибридных чипов как традиционные полупроводниковые компоненты, так и компоненты на основе различных экзотических материалов. Одним из таких компонентов может стать новый вид молекулярной памяти, разработанный специалистами из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории имени Лоуренса. Ячейка такой памяти представляет собой молекулу, состоящую из нескольких атомов, а принцип работы этой ячейки основан на изменении формы молекулы в результате воздействия на нее электрическим током.

В данной технологии используется метод инжекции электронов. Но вместо того, чтобы насытить электроды крохотного конденсатора, изменить направление спина или сделать что-то другое, электрический ток изменяет кристаллическую структуру прозрачного слоя дителлурида молибдена (MoTe2). Изменения кристаллической структуры носят полностью обратимый характер, а один из двух видов кристаллической структуры соответствует значению 0 или 1, записанных в эту ячейку памяти. При этом, для изменения кристаллической структуры материала требуется гораздо меньшее количество энергии, чем для переключения ячейки памяти на основе эффекта фазовых переходов.

Виды кристаллической решетки MoTe2


Ключевым моментом данной технологии является использование дителлурида молибдена, материала из класса переходных дихалькогенидов. Условно двухмерный слой такого материала, толщиной в несколько атомов, обладает кристаллической решеткой, способной находиться в двух стабильных состояниях, в симметричном 2H и наклонном T1. Если кристаллическая решетка дителлурида молибдена находится в состоянии 2H, то материал обладает полуметаллическими свойствами и обладает относительно низкой электрической проводимостью, в случае кристаллической решетки T1, материал демонстрирует явные металлические свойства и высокую электрическую проводимость.

Исследователи из Беркли провели ряд экспериментов с различными материалами, которые могут изменять вид кристаллической решетки под воздействием электрического тока. Окончательный выбор пал на дителлурид молибдена из-за того, что этот материал обладает еще и особенными фотонными свойствами. В конечном счете исследователи планируют создать целую библиотеку тонкопленочных элементов из этого материала, которые могут использоваться в компьютерных чипах, в фотонных и оптических технологиях, в том числе и в солнечных батареях.




Ключевые слова:
Молекула, Память, Форма, Материал, Теллур, Молибден, Электрический, Ток, Кристаллическая, Решетка, Энергия

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Создан новый тип памяти, информация в которой стирается при помощи света
  • Ученые создали новый тип высокоэффективных постоянных магнитов
  • Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологиче ...
  • Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ...
  • Новый тип флэш-памяти на основе компонентов одноатомной толщины демонстриру ...




  • 2 января 2018 10:35
    #1 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 4196
    А в чем кардинальные отличия от памяти на фазовых переходах? Я что-то их не вижу...


    --------------------
        
    3 января 2018 09:20
    #2 Написал: gen_sec

    Публикаций: 0
    Комментариев: 233
    интересно что за характеристики у солнечных батарей будут с использованием дителлурида молибдена?
        
    5 января 2018 13:26
    #3 Написал: Zerger

    Публикаций: 0
    Комментариев: 805
    На изображении швабра и лопата а меж ними шарики?


    --------------------
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.