Компания Samsung разработала новую технологию памяти ReRAM, которая может выдержать триллион циклов перезаписи.

Структура новой ReRAM памяти компании Samsung


Память типа Resistive Random Access Memory (ReRAM) впервые была представлена в 1997 году, и в то время открытие нового типа памяти вызвало настоящий ажиотаж в околоэлектронных кругах. Компания Panasonic достаточно долго являлась лидирующей компанией в направлении разработки коммерческих вариантов микросхем памяти, выполненных по технологии ReRAM и множество других компаний вели собственные разработки в этом перспективном направлении. На сей раз компания Samsung перепрыгнула все предыдущие достижения, изобретя дополнительную технологию, которая увеличивает количество циклов перезаписи до одного триллиона.

Новая передовая технология памяти ReRAM использует в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную пленку Ta2O5-x/TaO2-x в отличие от других технологий, в которых применяется пленка из материала Ta2O5. Использование двух слоев разных материалов позволяет ограничить диапазон изменения удельного сопротивления материала. Так же для изменения сопротивления нового материала происходит при существенно меньшем значении протекающего через него электрического тока. Это, в свою очередь, позволяет уменьшить расход энергии, увеличить число циклов перезаписи до триллиона раз и обеспечивает высокую скорость записи информации в память нового типа.

Естественно, имея ресурс в миллион раз превышающий ресурс современной flash-памяти, новая память может стать основой для быстрых и недорогих устройств хранения информации большой емкости. А высокая скорость записи информации, составляющая всего 10 нс, позволяет использовать эту перспективнейшую технологию вместо обычной динамической оперативной памяти.




Ключевые слова:
ReRAM, Память, Samsung, Ресурс, Цикл, Запись, Информация, Скорость, Время

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимо ...
  • Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
  • Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памя ...
  • Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2 ...
  • Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.




  • 18 июля 2011 10:56
    #1 Написал: KUbo_0

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    Остаётся надеяться, что на наш век плашечка перепадёт )
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.