Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимой памяти

Память MeRAM


Используя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM (magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.

Технология памяти MeRAM отличается низким потреблением энергии в сочетании очень высокой плотностью хранения информации, быстродействием, малыми значениями чтения и записи информации. Но самым основным ее "коньком" является энергонезависимость - способность хранения информации в то время, когда эта память не подключена к внешнему источнику энергии.

Современные технологии магнитной и магниторезистивной памяти основаны на использовании электрического заряда электронов с его моментом вращения, спином, (spin-transfer torque, STT). Но такая память все еще требует достаточно большого количества энергии и плотность хранения информации ограничена тем, что нельзя физически располагать ячейки памяти близко друг к другу.

В технологии MeRAM управление электрическим током, такое как используется в технологии STT, заменена управлением электрическим напряжением, разностью потенциалов. Это избавляет от необходимости перемещать большие группы электронов через проводники, делая такую систему в 10-1000 раз более эффективную с точки зрения потребляемой энергии. Отсутствие электрического тока обуславливает отсутствие выделяющегося паразитного тепла, что позволяет сделать память MeRAM в пять раз более плотной, нежели обычная память STT.

"Реализованная способность переключения наноразмерных магнитов с помощью электрического потенциала является перспективным направлением исследований в области магнетизма и электромагнетизма, которая может быть использована не только в технологиях компьютерной памяти" - рассказывает Педрэм Хэлили (Pedram Khalili), научный сотрудник Калифорнийского университета. - "Мы надеемся, что в ближайшем будущем технология MeRAM воплотится в виде реального продукта, который продемонстрирует все преимущества MeRAM перед MRAM. Благодаря эти преимуществам память MeRAM может быть успешно использована в тех областях, где самыми главными критериями являются низкая стоимость и высокая производительность".

Технология MeRAM может стать тем, что сделает энергонезависимыми и существенно увеличит функциональность существующих микроконтроллерных систем, систем, на кристалле которых объединены память, логические схемы, вычислительное ядро и другая внутренняя периферия.




Ключевые слова:
Память, Энергонезависимая, Потребления, Энергия, Компьютер, Смартфон, Микроконтроллер, MeRAM, Ячейка, Электрон, Заряд, Ток, Напряжение, Спин

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Ученые компаний IBM и Samsung разрабатывают новую память типа STT-MRAM, кот ...
  • Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти
  • Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам п ...
  • Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памя ...
  • FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.




  • 20 декабря 2012 12:30
    #1 Написал: beany85

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1018
    Звучит красиво, ну то посмотрим как они эту память воплотят в жизнь:
    Благодаря этим преимуществам память MeRAM может быть успешно использована в тех областях, где самыми главными критериями являются низкая стоимость и высокая производительность".

    стоимость ведь невелика, а ждать все равно несколько лет...


    --------------------
        
    20 декабря 2012 14:40
    #2 Написал: EduardLt

    Публикаций: 0
    Комментариев: 190
    Новый ифон в перспективе.Если батарейка будет работать хотя бы в 10 раз дольше, то это можно будет назвать достижением.
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.