Компания Micron анонсирует новый вид высокоэффективной гибридной "кубической" памяти

Чип HMC-памяти


Компания Micron Technology, являющаяся одним из известнейших производителей чипов компьютерной памяти, анонсировала новый тип памяти следующего поколения, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC). Структура этой памяти представляет собой сложную структуру, которая может оказаться решением одной из самых известных "болезней" вычислительных систем, называемой "стеной памяти".

Исторически сложилось так, что архитектура систем оперативной памяти всегда отставала в развитии от архитектуры микропроцессоров. В большинстве современных вычислительных систем пропускной способности подсистемы памяти недостаточно для того, чтобы полностью загрузить работой центральный процессор, отсюда возникают циклы холостых простоев микропроцессоров, которые и образуют "стену памяти". Конечно, инженеры нашли решения преодоления данной проблемы, но они все дорогостоящие и используются только в самых дорогих и самых производительных вычислительных системах.

Память Hybrid Memory Cube (HMC) является памятью с новой трехмерной архитектурой, которая чередует слои кристаллов собственно памяти со слоями быстродействующих логических схем, связанных между собой проводниками, проложенными в сквозных переходных отверстиях, сделанных в кремнии чипов (through-silicon-via, TSV). Такая минимизация длины соединений и максимально близкое расположение управляющих логических цепей позволяют получить огромные преимущества памяти нового типа перед самыми лучшими образцами современной памяти.

Согласно данным, опубликованным представителями компании Micron, чипы памяти HMC позволят получить минимум пятнадцатикратное увеличение производительности, снизив показатель потребляемой энергии на внушительные 70 процентов по сравнению с памятью стандарта DDR3. При этом площадь кристалла, занимаемая памятью HMC, на 90 процентов меньше, чем площадь, занимаемая памятью такого же объема стандарта RDIMM. Помимо этого, память HMC масштабируется до таких показателей, которые просто недостижимы для памяти стандартов DDR3 и DDR4.

Судя по заявленным показателям и многочисленности участников сообщества, технология Micron HMC является ни больше, ни меньше, чем существенным и кардинальным прорывом в современных технологиях компьютерной памяти. В октябре 2011 года компания Micron Technology, совместно с компанией Samsung Electronics Co., Ltd., сформировали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium, целью создания которого является разработка открытого стандарта нового типа памяти и интерфейса, упрощающего интеграцию памяти HMC в большое количество разнообразных вычислительных платформ.

В настоящее время в состав консорциума входят такие именитые компании, как Altera, ARM, HP, IBM, Micron, Microsoft, Open Silicon, Samsung, SK Hynix и Xilinx, которые обладают правом заключительного голоса в определении стандарта. Помимо этих компаний в консорциуме принимают участие еще 75 более мелких компаний. В настоящее время консорциум занимается рассмотрением спецификации нового стандарта, которая, как ожидается, будет принята в следующем месяце, и которая в деталях определяет коммуникационный интерфейс между памятью HMC и процессорами, центральными, графическими или микросхемами FPGA.

Если все пойдет согласно намеченным планам, то выпуск гибридной HMC-памяти начнется или в конце этого, или в начале 2014 года. Первыми двумя видами выпускаемой HMC-памяти будет память, которая станет заменой DRAM-памяти. Но компания Micron и некоторые другие производители рассматривают варианты выпуска действительно гибридных чипов, в которых будет совмещена HMC-память и энергонезависимая NAND-flash память.




Ключевые слова:
Память, Компьютер, Архитектура, Hybrid Memory Cube, HMC, RDIMM, DDR, Samsung, Altera, ARM, HP, IBM, Micron, Microsoft, Open Silicon, Samsung, SK Hynix, Xilinx

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памят ...
  • Компания Samsung планирует в 2013-2014 году начать производство объемной " ...
  • Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.
  • Samsung, Hynix, Silicon Image разрабатывают новый стандарт памяти DRAM.
  • Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.




  • 23 января 2013 10:04
    #1 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 3867
    Дорогая же будет, зараза. И применять ее можно будет только в серверах да суперкомпьютерах, а до обычных компов такое дойдет лет через 5 минимум


    --------------------
        
    23 января 2013 11:55
    #2 Написал: volod

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1489
    Назвали прорывом то, что очевидно было наверное любому инженеру в этой области, все упиралось в экономическую целесообразность, ведь все везде делали плоским, а тут надо рисковать разрабатывать новый стандарт.
    Пора уже, а то как купил комп в 4ядра года 4 назад, так мало что изменилось, только видео обновил.
        
    23 января 2013 18:56
    #3 Написал: beany85

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1018
    Цитата: volod
    Пора уже, а то как купил комп в 4ядра года 4 назад, так мало что изменилось, только видео обновил.

    Та же ситуация, правда я не только новую память жду, а и многослойные, мультиядерные процы, которые IBM уже в этом году обещали.


    --------------------
        
    23 января 2013 22:16
    #4 Написал: zelenui

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    Цитата: beany85
    Цитата: volodПора уже, а то как купил комп в 4ядра года 4 назад, так мало что изменилось, только видео обновил.
    , +1
    И новость слегка устарела, уже говорили на IDF 2011
    http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?15/06/24
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.