Использование кремниевых нанопроводников позволило создать новые переконфигурируемые транзисторы.

Структура универсального транзистора


Уже более 30 лет основой всей полупроводниковой техники является технология CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Подавляющее большинство всех CMOS-чипов содержит на своих кристаллах большое количество полевых транзисторов (Field Effect Transistors, FET) n- и p-проводимости, электрические и полупроводниковые свойства которых закладываются на стадии их производства. Ученые из Технологического университета Мюнхена разработали и продемонстрировали универсальный транзистор, который можно переключить из режима n-проводимости в режим p-проводимости и наоборот простой сменой полярности поданного на специальный электрод управляющего сигнала.

Такая возможность переключения свойств нового транзистора стала возможной за счет использования сложной гетероструктуры электронного устройства, основой которой является осевой нанопроводник из кремния, на котором установлены независимые управляющие электроды, затворы, использующие эффект барьера Шоттки. Помимо дополнительной функциональности, новая наноразмерная структура нового транзистора позволила увеличить в несколько раз его электрические и скоростные характеристики, к примеру отношение сопротивлений при выключенном и включенном состоянии нового транзистора составляет 1*10^9.

Этот "роман" нанотехнологий и полупроводниковой технологии позволил реализацию простой и компактной универсальной платформы для создания электронных устройств, которые могут изменять свою конфигурацию на лету, прямо во время выполнения вычислительных операций и логических функций. А это позволит создавать новые микропроцессоры, чрезвычайно мощные и беспрецедентно гибкие, на которых сможет эффективно функционировать настоящий искусственный интеллект.




Ключевые слова:
Кремний, Нанопроводник, Нанотехнологии, Транзистор, Проводимость, Переключение, Затвор, Сигнал

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • "Нанопроводниковые" транзисторы с фотонным управлением - новый путь к реа ...
  • Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увелич ...
  • Многослойные структуры из двумерных нанокристаллов могут стать лучшей замен ...
  • Новый тип графенового транзистора можно рассматривать в качестве кандидата ...
  • Новая технология прямой печати транзисторов предрекает конец технологии CMO ...




  • 31 декабря 2011 23:40
    #1 Написал: Glenfiddich

    Публикаций: 0
    Комментариев: 199
    Только при этом увеличится размер самих чипов, получается практически к каждому транзистору надо подвести еще отдельный проводник, с помощью которого и будет меняться сама проводимость. Или на этом же кристалле создавать отдельную схему которая будет следить за подачей тока сменной полярности на каждый транзистор


    --------------------
        
    2 января 2012 07:27
    #2 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 3873
    Возникает резонный вопрос, а что будет, если включить сразу проводимость обоих полярностей? Миниатюрный аналог "твердотельного реле" ?


    --------------------
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.