29 апреля 2014 | Научно-популярное

Машины-монстры: Graflex "Big Bertha" - первая высокоскоростная камера, позволявшая снимать спортивные состязания

Камера Big BerthaОбласть фотожурналистики проделала очень длинный путь за прошедшие сто лет. Если современные профессиональные фотокамеры имеют достаточно компактные габариты, то в первой половине 20-го века фотографы, осуществляющие съемку событий на автомобильных гонках или других скоростных видах спорта, должны были прибегать к помощи специальных огромных широкоформатных камер, таких как легендарная камера "Big Bertha", которая выпускалась компанией Graflex.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 0

Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов

Структура TFET-транзистораИсследователи из Фуданьского университета в Шанхае (Fudan University), Китай, обнаружили способ существенного ускорения работы традиционных полевых транзисторов, которые сегодня являются основой практически всех компьютерных чипов, от процессоров до памяти. Работа, опубликованная в журнале Science, описывает структуру нового туннельного полевого транзистора (Tunneling Field-Effect Transistor, TFET), на переключение которого, по сравнению с обычными транзисторами, требуется значительно меньшее количество энергии, что, в свою очередь, позволяет работать этому транзистору на более высоких частотах.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Многослойные структуры из двумерных нанокристаллов могут стать лучшей заменой современных CMOS-транзисторов

Транзистор из двумерных нанокристаллоаИсследователи из университета Пурду (Purdue University) разработали новый тип полупроводниковой технологии для будущих компьютеров и электронных устройств, которая может стать превосходящей по многим параметрам заменой существующей технологии изготовления полупроводников, известной как CMOS (complementary metal oxide semiconductor). Эта новая технология основана на использовании двумерных нанокристаллов, слоев материала, толщиной менее одного нанометра. В качестве материала для этих двумерных нанокристаллов выступает дисульфид молибдена, молибденид, полупроводниковый материал, которому пророчат большое будущее в области электроники.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Созданы новые германиевые транзисторы, превосходящие кремниевые в четыре раза по скорости работы

Строение нового германиевого транзистораЭкспериментальная структура нового германиевого транзистора, изготовленного из распространенных полупроводниковых материалов, может стать тем, что позволит в несколько раз увеличить производительность микропроцессоров вычислительной техники. Этот новый транзистор, разработанный в Лаборатории технологий микросистем (Microsystems Technology Laboratories, MTL) Массачусетского технологического института, имеет скорость работы, в два раза превышающую скорость предыдущего варианта экспериментального германиевого транзистора, который, в свою очередь, по скорости работы превосходил в два раза наилучшие варианты коммерческих кремниевых транзисторов.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Использование кремниевых нанопроводников позволило создать новые переконфигурируемые транзисторы.

Структура универсального транзистораУже более 30 лет основой всей полупроводниковой техники является технология CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Подавляющее большинство всех CMOS-чипов содержит на своих кристаллах большое количество полевых транзисторов (Field Effect Transistors, FET) n- и p-проводимости, электрические и полупроводниковые свойства которых закладываются на стадии их производства. Ученые из Технологического университета Мюнхена разработали и продемонстрировали универсальный транзистор, который можно переключить из режима n-проводимости в режим p-проводимости и наоборот простой сменой полярности поданного на специальный электрод управляющего сигнала.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Новые 22 нм. 3D-транзисторы компании Intel обеспечат выполнение закона Гордона Мура.

Структура старого и нового транзисторовНа прошедшей неделе представители компании Intel объявили о начале выпуска чипов и микропроцессоров, основой которых стал совершенно новый тип кремниевых транзисторов, имеющих трехмерную структуру. Трехмерная структура транзисторов увеличивает эффективность его функционирования на 30 процентов и сократить занимаемую им площадь, благодаря чему сам транзистор занимает площадь 22 нанометра на кристалле чипа. Первым серийным чипом Intel, созданным на базе новых транзисторов, станет чип под названием "Ivy Bridge".
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Новый полевой транзистор с плавающим затвором - революция в области компьютерной памяти.

Структура полевого транзистора с плавающим затворомГруппа исследователей Университета штата Северная Каролина разработала новое устройство хранения информации, компьютерной памяти, которая сочетает в себе преимущества большой скорости доступа динамической памяти DRAM и энергонезависимость хранения данных, подобно Flash-памяти. Разработка новой памяти позволит во существенно снизить потребление электроэнергии , что особенно важно в случае малогабаритных мобильных устройств и крупных дата-центров, позволяя отключать части системы во время периодов их бездеятельности без страха потери данных.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 5

Ученые IBM изготовили миниатюрную электронную схему, используя кремниевые нанопроводники, толщиной 3 нанометра.

Наноэлектронная схемаЭкспериментальная электронная схема, изготовленная с применением кремниевых нанопроводников, толщиной 3 нанометра, может стать первой электронной схемой нового поколения, заявили исследователи компании IBM, разработавшие и изготовившие эту схему. Анонс новой технологии, разработанной учеными из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона, был сделан на ежегодном симпозиуме по Технологиям VLSI, в Гонолулу. Согласно предоставленной информации, изготовленная электронная схема представляет собой кольцевой тактовый генератор, построенный на базе полевых транзисторов (Field-Effect Transistors, FET), соединенных кремниевыми нанопроводниками толщиной в 3 нанометра. В общей сложности схема состоит из 25 инверторов, составленных из транзисторов, имеющих как прямую, так и обратную проводимость.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6

Создание одноатомного транзистора обещает скорый прорыв в области квантовых вычислений.

Структура одноатомного транзистораУменьшая размеры транзистора, основного элемента вычислительных систем, ученые, наконец, достигли того предела, ниже которого опуститься вряд ли уже получится в обозримом будущем. Международная группа ученых из Технологического университета Хельсинки, университета Нового Южного Уэльса и университета Мельбурна успешно завершила ряд научно-исследовательских работ, результатом которых явилось создание полнофункционального транзистора, имеющего размеры равные всего одному атому. Создание такого транзистора дает ученым полигон для новых исследований и изучения явлений, которые впоследствии будут использоваться в быстро развивающейся области квантовых вычислений.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2