Превращение кремниевых транзисторов в кубиты позволит создать квантовые компьютеры с миллиардами кубитов

Структура полевого транзистораИсследователи из японского Института физико-химических исследований RIKEN разрабатывают технологию превращения кремниевых полевых транзисторов (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) в квантовые биты, кубиты, которые могут быть без особых проблем интегрированы в структуру традиционных полупроводниковых чипов. Появление такой технологии позволит создавать масштабируемые квантовые устройства, что, в свою очередь, сделает квантовые компьютеры еще на один шаг ближе к реальности.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Созданы первые "двухмерные" полевые транзисторы, изготовленные из единственного материала

Структура полевого транзистораСовременная жизнь была попросту невозможна без транзисторов, крошечных "стандартных блоков", миллиарды которых находятся на кристаллах чипов, являющихся "мозгом" всех наших электронных устройств. Однако, нынешние технологии, при помощи которых производятся полевые транзисторы (Field-Electronic Transistor, FET), имеющие объемную структуру, практически подошли к пределу их эффективности. На смену традиционной технологии должно прийти нечто новое, и к такому новому можно смело отнести новые условно "двухмерные" полевые транзисторы, созданные исследователями из института Фундаментальных наук (Institute for Basic Science, IBS). Но самым интересным в данном случае является то, что все элементы структуры нового транзистора, обладающие как металлическими, так и полупроводниковыми свойствами, изготовлены из одного материала.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Электронное устройство 3-в-1 предлагает альтернативу закону Гордона Мура

Структура универсального полупроводникового прибораВ полупроводниковой индустрии в настоящее время есть только одна стратегия дальнейшего увеличения быстродействия и эффективности электронных устройств - уменьшение размеров базовых полупроводниковых приборов, транзисторов, для того, чтобы имелась возможность упаковки большего их числа на поверхность кристалла одного чипа. Однако, увеличение числа транзисторов на чипе по экспоненциальной зависимости, как то определено известным законом Гордона Мура, не может продолжаться до бесконечности. И такое положение дел вынуждает исследователей искать новые пути улучшения электронных полупроводниковых технологий.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Использование углеродных нанотрубок в транзисторах позволило преодолеть принцип квантовой неопределенности

Транзистор на основе углеродной нанотрубкиМногие авторитетные эксперты считают, что технологии, позволяющие уменьшать размеры кремниевых металлооксидных полупроводниковых (complimentary metal-oxide semiconductor, CMOS) транзисторов подойдут к пределу физических ограничений уже в 2020 году. После этого, для дальнейшего снижения размеров транзисторов и соответствующего увеличения их быстродействия и эффективности, людям потребуется нечто новое. В качестве одного из вариантов этого нового уже давно рассматриваются углеродные нанотрубки (carbon nanotube, CNT), но до последнего времени их практическое использование в микроэлектронике было и является сейчас невозможным в силу нескольких проблем технического плана. Справедливости ради стоит отметить, что на основе нанотрубок уже были созданы образцы полевых транзисторов (field-effect transistor, FET), но эти образцы являлись лишь продуктом работы научных лабораторий.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0
4 сентября 2016 | Медицина

"Сеть" из нанопроводников позволяет контролировать деятельность мозга на протяжении длительных промежутков времени

Электроны в нервных тканяхУченые-нейробиологи и врачи-невропатологи уже достаточно давно пытаются выяснить, что происходит с мозгом в процессе его старения, деградации в результате болезней Паркинсона и Альцгеймера, как мозг реагирует на различные раздражители и что он делает, обрабатывая поступающую извне информацию. Для всего этого требуется, как минимум, возможность получения картины деятельности нейронов на протяжении длительных промежутков времени, и это является достаточно сложной проблемой, с которой сталкиваются ученые, работающие в данном направлении.
 | Опубликовано DrWho | Подробнее | Комментарии: 2

Компания Samsung продемонстрировала дисплеи, способные проецировать трехмерные изображения в пространстве

Изображение полевого дисплеяНа научной конференции SID 2016, посвященной дисплеям и другим технологиям отображения информации, которая проходила с 27 по 27 мая 2016 года в Сан-Франциско, США, представители компании Samsung Display продемонстрировали новые дисплеи, которые могут проецировать трехмерные изображения в открытом воздушном пространстве. Эти новые дисплеи бывают двух типов. Первый тип - это "свето-полевой" дисплей (light field display), который создает изображение путем реконструкции якобы отраженных от объекта лучей света, которые попадают непосредственно в глаза человека. Второй тип - это более традиционный голографический дисплей, который создает трехмерную картинку за счет изменения формы фронтов импульсов света, отраженных от поверхности объекта.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 3

Двухслойный графен - основа высокоскоростных туннельных транзисторов нового типа

Структура транзистораИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) разработали структуру нового туннельного транзистора, основу которой составляют два слоя графена, формы углерода, кристаллическая решетка которого имеет одноатомную толщину. Произведенные учеными расчеты математических моделей показывают, что новые транзисторы имеют высокую эффективность с точки зрения расходуемой энергии и могут обеспечить работу на тактовых частотах, превышающих тактовые частоты используемых в современных микропроцессорах транзисторов на один-два порядка величины.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7

Изготовлены первые полевые транзисторы на основе нового материала, перовскита

Транзистор из перовскитаЗа последние годы ученые обнаружили множество всевозможных "удивительных" материалов, обладающих рядом уникальных свойств. К таким материалам относиться перовскит, титанат кальция (CaTiO3), не очень редкий, но и не сильно распространенный минерал, обладающий рядом уникальных фотоэлектрических характеристик. Но "чудеса" перовскита не ограничиваются только высокоэффективными солнечными батареями, этот материал может быть использован для создания твердотельных лазеров, обладающих почти 100-процентным КПД, и многих других вещей, в которых требуется высокая подвижность носителей электрических зарядов, возможность реализации электрической и магнитной поляризации и низкая стоимость самого материала.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Создан новый сверхчувствительный датчик, способный определять параметры отдельных электронов

Чип с затворным датчикомГруппа европейских исследователей из Кембриджского университета, того самого университета, в стенах которого британский физик Сэр Джозеф Джон Томсон в 1897 году открыл электрон, создала новое электронное устройство, настолько точное и быстрое, что оно способно определить все ключевые параметры единственного электрона менее чем за одну микросекунду времени. И не стоит путать разработку европейских ученых с подобной разработкой ученых из Массачусетского технологического института. Несмотря на то, что в названиях этих разработок много общего, они предназначены для совершенно различных целей.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Ученые научились управлять сверхпроводимостью при помощи света

Переключение сверхпроводимостиИсследовательская группа из Института молекулярных наук (Institute for Molecular Science) японского Национального института естественных наук (National Institutes of Natural Sciences), возглавляемая профессором Хироши М. Ямамото (Prof. Hiroshi M. Yamamoto), разработала новый тип полевого транзистора, работающего за счет эффекта сверхпроводимости и который может быть включен или выключен при помощи освещения некоторых элементов его структуры. Данное достижение может послужить основой для создания новых высокоскоростных переключающих устройств, высокочувствительных оптических датчиков и других устройств, где требуется быстродействующая коммутация протекающего электрического тока.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Созданы первые образцы высокоскоростных транзисторов из силицена

СилиценСилицен, форма кремния, кристаллическая решетка которого имеет одноатомную толщину, существовал в виде математических компьютерных моделей еще за десятилетие до того, как в 2004 году были получены первые образцы графена. К сожалению, судьба силицена, как и многих других открытий, сделанных раньше своего времени, оказалась менее завидной, нежели судьба графена. Если научный интерес к графену возник сразу же после его открытия, то в отношении силицена ученые долго еще считали, что этот материал не может существовать вне рамок математических моделей.
 | Опубликовано NanoMan | Подробнее | Комментарии: 13

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистораВ последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Ученым удалось "скрестить" полевой транзистор с вакуумной электронной лампой

Транзистор с вакуумным каналомВ первой половине 20-го века внутри каждого радиоприемника и телевизора находились вакуумные электронные лампы. Размеры этих электронных приборов варьировались в очень широких пределах, но в любом случае они кажутся огромными мастодонтами по сравнению с полевыми транзисторами, блистающими своими способностями в современной цифровой электронике. Тем не менее, возможности существующих полевых транзисторов также ограничены, и инженеры все больше и больше начинают сталкиваться с ограничениями, накладываемыми фундаментальными законами физики, при попытках дальнейшего уменьшения размеров транзисторов и улучшения их электрических характеристик. Поэтому множество исследовательских групп работают над созданием альтернативных типов транзисторов из графена, углеродных нанотрубок и других материалов, которые могут стать основой энергосберегающих и высокопроизводительных чипов нового поколения. Но одна из таких групп пошла по совершенно иному пути, созданный ими транзистор с вакуумным каналом является помесью традиционного полевого транзистора и электронной вакуумной лампы, что позволяет ему демонстрировать превосходные электрические и скоростные характеристики.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Компания Bluestone Global Tech выпустила экспериментальные чипы с графеновыми транзисторами Grat-FET

Чип с транзисторами Grat-FETАмериканская компания Bluestone Global Tech (BGT), занимающаяся исследованиями в области технологий получения и использования графена, выпуском высококачественных графеновых пленок и экспериментальных приборов на основе этого материала, объявила о создании опытных образцов чипов, содержащих графеновые полевые тразисторы (Field-Effect Transistors, FET), изготовленные по фирменной технологии компании BGT под названием Grat-FET. Каждый из чипов содержит по 36 транзисторов Grat-FET, разбитые на 9 групп по длине и ширине графенового канала транзистора, что позволяет получить широкий набор электрических и скоростных характеристик транзисторов, что, в свою очередь, позволит использовать эти чипы для проведения самых различных исследований и экспериментов.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Созданы первые транзисторы, не содержащие полупроводниковых материалов

Нанотрубка BNNT с квантовыми точкамиУченые из Мичиганского технологического университета, возглавляемые профессором физики Йок Хин Яп (Yoke Khin Yap), создали электронное устройство, действующее на основе эффекта квантового туннелирования, которое работает подобно полевому FET-транзистру. При этом, новый "квантовый" транзистор полностью работоспособен при обычной комнатной температуре и не содержит никаких полупроводниковых материалов.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6