Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимой, как Flash

Компьютерная памятьИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок

Технология NRAMКомпании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 9

Ученые выяснили некоторые необычные особенности работы мемристоров

Исследовательская установкаРяд крупных компаний, специализирующихся в области электроники и полупроводников, такие, как Hewlett Packard, Intel и Samsung, производят интенсивные поиски новых технологий, которые придут на смену существующей энергонезависимой Flash-памяти. Самым перспективным кандидатом на это место считается мемристор и память на основе этих электронных компонентов, Resistive RAM (ReRAM или RRAM). Такая память использует в своей работе меньшее количество энергии и может обеспечивать высокую скорость чтения и записи информации, во много раз превышающие аналогичные показатели NAND Flash-памяти. Однако, результаты последних исследований указывают на то, что несмотря на первые попытки практического применения мемристоров, использующие их специалисты не совсем правильно понимают основные принципы их работы.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Создан первый полностью оптический чип энергонезависимой памяти

Ячейка оптической памятиИспользование света определяет будущее информационно-коммуникационных технологий - при помощи использования оптических компонентов компьютеры обретут способность работать более быстро и более эффективно. Оптическое волокно уже давно используется для передачи данных при помощи света, но в недрах компьютеров данные передаются и обрабатываются пока еще по-старинке, при помощи электрических сигналов и электронных компонентов. Именно реализация электронного варианта обмена данными между процессором и оперативной памятью является главным ограничителем быстродействия нынешних компьютеров, узким местом архитектуры фон Неймана. И для расширения этого узкого места совершенно недостаточно организовать оптический интерфейс между памятью и процессором, на обоих концах этого интерфейса все равно придется выполнять преобразование электрических сигналов в оптические и наоборот. Именно поэтому ученые из различных стран интенсивно занимаются разработкой методов выполнения обработки и хранения данных, основанных на использовании исключительно оптических и фотонных технологий.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 8

Создан новый материал, который может кардинально повысить плотность хранения данных и снизить количество потребляемой памятью энергии

Структура танталовой памятиУченые из университета Райс (Rice University) разработали новую технологию изготовления ячеек твердотельной энергонезависимой памяти, которая позволит кардинально увеличить показатель плотности хранения данных, одновременно снизив количество потребляемой памятью энергии. В основе новой технологии лежит слоистая структура из тантала, нанопористой окиси тантала, графена и платиновых электродов. Согласно предварительным расчетам, применение таких ячеек памяти позволит изготавливать чипы, емкостью минимум 162 гигабита (20 гигабайт), которые практически по всем остальным показателям будут превосходить современные чипы флэш-памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Ученые KIST разработали гибкую углеродно-кремниевую органическую память

Ячейка памятиВ настоящее время многими группами ученых ведутся разработки в направлении создания гибкой и эластичной электроники. Достаточно существенные достижения в этом направлении были достигнуты в области создания гибких дисплеев, гибких батарей и некоторых других компонентов. Но, следует понимать, что любое цифровое устройство, помимо дисплея и батареи, требует еще множества различных гибких компонентов, включая и устройства памяти. Доктор Тэ-Вук Ким (Dr. Tae-Wook Kim) из Корейского института науки и технологий (Korea Institute of Science and Technology, KIST) и группа руководимых им исследователей объявили об успешном создании ячеек гибкой памяти на основе углеродного органического материала и кремнийсодержащего полимера, в которые можно записывать и которые могут хранить данные достаточно длительное время.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Кристалл чипа RRAM-памятиОтносительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти

Ячейки энергонезависимой памятиГруппа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа перезаписываемой энергонезависимой памяти объемом в 1 килобайт, основой которого являются ячейки памяти, изготовленные из оксида кремния. Использование этого материала позволит создавать чипы, которые превзойдут современную флэш-память по показателю плотности хранения информации, по количеству потребляемой энергии, по скорости записи и по многим другим параметрам.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7

Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимой памяти

Память MeRAMИспользуя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM (magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Тайваньские инженеры победили главный недостаток флэш-памяти

Микросхема флэш-памятиПредставители тайваньской компании Macronix объявили о том, что их инженеры нашли решение проблемы, связанной с главным недостатком флэш-памяти, с относительно малым и ограниченным количеством процедур стирания-записи информации. Каждый цикл стирания и записи ухудшает изоляцию каждой ячейки памяти, и после определенного количества таких циклов ячейка памяти перестает быть способной хранить информацию. "Распространенные микросхемы флэш-памяти могут быть стерты и записаны заново приблизительно 10 тысяч раз, более качественные и дорогие микросхемы имеют ресурс до 1 миллиона циклов" - пишут журналисты издательства IEEE Spectrum. - "Инженеры Macronix имеют решение, которое может вдохнуть новую жизнь в флэш-память, они предлагают метод самовосстановления NAND флэш-памяти, который позволит ей пережить более чем 100 миллионов циклов записи".
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Компания Elpida Memory представляет первые опытные образцы резистивной памяти ReRAM.

Чипы памяти компании ElpidaЯпонская компания Elpida Memory, Inc., являющаяся третьим по счету мировым производителем микросхем динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM), объявила о разработке и производстве первых опытных образцов быстродействующей энергонезависимой резистивной памяти (Resistance memory, ReRAM). Опытные образцы, изготовленные с использованием 50-нанометровой технологии, имеют емкость 64 Мбит, показатель плотности хранения информации в этих чипах является самым высоким на сегодняшний день среди модулей памяти ReRAM.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7

Компания Thinfilm представляет первую печатную энергонезависимую память.

Печатная память ThinfilmНорвежская компания Thin Film Electronics ASA ("Thinfilm") объявила о том, что они, совместно с компанией PARC, дочерней компанией известной компании Xerox, изготовили первые в мире опытные образцы энергонезависимой памяти, изготовленной исключительно методом печати. Ячейки этой энергонезависимой памяти по структуре и функционированию эквивалентны ячейкам CMOS-памяти, а адресация ячеек, запись и чтение данных осуществляются электронными схемами на основе органических полупроводников.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 5

FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.

Структура памяти FeTRAMИсследователи из университета Пурду разработали совершенно новый тип компьютерной энергонезависимой памяти, которая близка по быстродействию к памяти, которая используется в современных компьютерах, и которая потребляет гораздо меньше энергии, чем устройства на базе флэш-памяти. Технология памяти FeTRAM основана на комбинации кремниевых нанопроводников с сегнетоэлектрическим полимерным материалом, который меняет свою поляризацию при приложении электрического поля соответствующей полярности. Поляризация материала может быть без труда прочитана как 1 и 0, что позволяет хранение информации в двоичном виде.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

Макет ячейки новой памяти RRAMПредставители тайваньской Национальной лаборатории прикладных исследований (National Applied Research Laboratories) сообщили, что в стенах их лаборатории были разработаны образцы микросхем памяти RRAM, имеющие самый маленький размер ячейки памяти в мире. По опубликованной информации первые образцы промышленных микросхем, являющихся заменой FLASH-памяти, изготовленных по этой технологии, могут появиться на рынке через пять лет.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Новая "трековая" память - в 100000 раз быстрее жестких дисков.

Структура "трековой" памятиШвейцарские исследователи из Швейцарского федерального политехнического университета Лозанны (Swiss Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, EPFL) разработали новый вид "трековой" памяти, которая по быстродействию превосходит самые лучшие образцы современных жестких дисков в 100000 раз. Эта память эффективна, долговечна, но самой лучшей новостью является то, что устройства на базе такой памяти могут появиться у вас в компьютере уже в 2015 году.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 7