Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимой, как Flash

Компьютерная памятьИсследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Ученым удалось синхронизировать отсчет времени с самой высокой на сегодняшний день точностью

Синхронизация времениУченые из немецкого исследовательского центра Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY) создали огромную сеть, состоящую из лазеров и микроволновых излучателей, суммарная длина которой составляет 4.7 километра. И недавно им удалось синхронизировать работу всех элементов этого в своем роде гигантского "метронома" с самой высокой точностью на сегодняшний день. Погрешность синхронизации времени составила плюс-минус 950 аттосекунд (квинтиллионных долей секунды) а время, в течение которого поддерживалась такая синхронизация, составило 18 часов.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 0

Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок

Технология NRAMКомпании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 9

Ученые компаний IBM и Samsung разрабатывают новую память типа STT-MRAM, которая в будущем может стать заменой флэш-памяти

Сравнение структуры MRAM и STT-MRAM ячеекУченые и инженеры компании IBM, совместно с их коллегами из компании Samsung, опубликовали работу, в которой описываются их достижения в области разработки компьютерной памяти нового типа STT-MRAM (spin-transfer torque (STT) magnetic random-access memory (MRAM)). Созданный ими опытный образец чипа STT-MRAM, емкостью 4 килобита, продемонстрировал время записи информации на уровне 10 наносекунд, при этом потребление тока одной ячейкой составило всего 7.5 микроампера. На кристалле опытного чипа были в целях эксперимента созданы STT-MRAM ячейки различных размеров, от 50 до 11 нанометров, но все они продемонстрировали схожие характеристики.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 5

Ученые компании IBM продемонстрировали первые образцы PCM-памяти, способной хранить в одной ячейке три бита данных

Чип PCM памятиВ рамках Международного семинара IEEE по технологиям памяти (IEEE International Memory Workshop), который проходил недавно в Париже, ученые из компании IBM Research продемонстрировали первый в своем роде чип компьютерной памяти, на поверхности которого создана матрица из 64 тысяч ячеек, способных хранить по три бита данных каждая. Такая способность ячеек памяти является следствием использования относительно новой технологии, называемой памятью на основе фазовых переходов (Phase-Change Memory, PCM). Следует отметить, что представленный IBM чип является не первым чипом PCM-памяти на свете, но все, что было сделано ранее, способно было хранить только один бит данных в одной ячейке.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 0

Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памяти

Чипы памяти 3D XPointИзвестные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памятиГруппа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам памяти, используемым в современной электронике

ДанныеЕще в 2005 году профессор физики Йохан Окермен (Johan Akerman) пророчил, что магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) является одним из главных кандидатов на роль "универсальной памяти", которая станет заменой различным типам памяти, которые можно обнаружить рядом друг с другом в схемах современных электронных устройств. Команда исследователей из Национального университета Сингапура (National University of Singapore, NUS) и Университета науки и техники Короля Абдуллы (King Abdullah University of Science and Technology, KAUST), Саудовская Аравия, разработала новый тип MRAM-памяти, который может сделать реальностью предвидение профессора Окермена.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле

Чипы V-NAND CTF памяти SamsungЗнатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от используемых технологий Flash-памяти. Теперь, благодаря стараниям компании Samsung, этот ряд дополнился еще двумя аббревиатурами, V-NAND и CTF, которые имеют непосредственное отношение к новым микросхемам "3D Vertical NAND" памяти, массовое производство которых было начато совсем недавно на производственных мощностях компании. Следует заметить, что, создавая новую V-NAND Flash-память, специалисты компании Samsung пытались не только увеличить объемы и другие показатели новых микросхем, их основной целью являлся аккуратный обход большинства проблем и ограничений, с которыми сталкиваются все разработчики Flash-памяти в последнее время.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Микросхемы NAND Flash-памятиСпециалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго поколения NAND Flash-памяти, энергонезависимой памяти, обладающей характеристиками, превосходящими характеристики самых лучших современных образцов подобной памяти., и способной хранить два бита данных в одной ячейке Массовое производство новых микросхем NAND-памяти, изготовленных по 19-нм технологическому процессу и имеющих емкость 64 гигабита, будет начато в самое ближайшее время.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 10

Тайваньские инженеры победили главный недостаток флэш-памяти

Микросхема флэш-памятиПредставители тайваньской компании Macronix объявили о том, что их инженеры нашли решение проблемы, связанной с главным недостатком флэш-памяти, с относительно малым и ограниченным количеством процедур стирания-записи информации. Каждый цикл стирания и записи ухудшает изоляцию каждой ячейки памяти, и после определенного количества таких циклов ячейка памяти перестает быть способной хранить информацию. "Распространенные микросхемы флэш-памяти могут быть стерты и записаны заново приблизительно 10 тысяч раз, более качественные и дорогие микросхемы имеют ресурс до 1 миллиона циклов" - пишут журналисты издательства IEEE Spectrum. - "Инженеры Macronix имеют решение, которое может вдохнуть новую жизнь в флэш-память, они предлагают метод самовосстановления NAND флэш-памяти, который позволит ей пережить более чем 100 миллионов циклов записи".
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3

Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году.

МемристорыПрежде чем покупать новый компьютер с SSD-диском или сам SSD-диск, Вам стоит потратить минутку времени и послушать то, о чем рассказывают представители компании Hewlett-Packard. Компания HP планирует через год-полтора выбросить на рынок технологию, будущую конкурировать с флэш-памятью, а к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6

Новые "каменные" оптические диски обеспечат сохранность данных в течение тысячи лет.

Диск M-DiscНесмотря на широкое наступление, которое ведется в области устройств хранения данных со стороны Flash-памяти и других новых технологий, старые, привычные всем, оптические диски, похоже, не собираются сдавать свои позиции. Не так давно мы рассказывали о компании General Electrics, исследователи которой добились успеха в осуществлении записи 500 Гб данных на оптический голографический диск, компания Panasonic так же работает в этом направлении, а теперь и компания LG объявила но новом оптическом носителе для долговременного хранения данных, информационный слой которого изготовлен из материала по составу приближающегося к камню естественного происхождения.
 | Опубликовано Informatic | Подробнее | Комментарии: 8

Компания IBM демонстрирует новую PCM-память, способную хранить в одной ячейке несколько бит данных.

Экспериментальный чип PCM-памятиПамять на основе фазовых переходов (phase change memory, PCM) является понятием, известным уже достаточно давно. Но до настоящего момента этот тип памяти так и оставался понятием, широкому применению которого мешала нестабильность ее работы и недостоверность считываемой информации при длительном хранении данных. Теперь же, исследователи подразделения компании IBM в Цюрихе, работая совместно со своими американскими коллегами, продемонстрировали новый тип памяти PCM, которая обеспечивает достоверное хранение в одной ячейке памяти сразу нескольких бит информации. Этот прорыв в области хранения информации может стать началом конца традиционной Flash-памяти, используемой сейчас практически повсеместно, начиная от мобильных устройств до устройств хранения данных "облачных" вычислительных систем.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.

Макет ячейки новой памяти RRAMПредставители тайваньской Национальной лаборатории прикладных исследований (National Applied Research Laboratories) сообщили, что в стенах их лаборатории были разработаны образцы микросхем памяти RRAM, имеющие самый маленький размер ячейки памяти в мире. По опубликованной информации первые образцы промышленных микросхем, являющихся заменой FLASH-памяти, изготовленных по этой технологии, могут появиться на рынке через пять лет.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 3