Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимой памяти

Память MeRAMИспользуя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM (magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2