Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памяти

Чипы памяти 3D XPointИзвестные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

Компания Micron анонсирует новый вид высокоэффективной гибридной "кубической" памяти

Чип HMC-памятиКомпания Micron Technology, являющаяся одним из известнейших производителей чипов компьютерной памяти, анонсировала новый тип памяти следующего поколения, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC). Структура этой памяти представляет собой сложную структуру, которая может оказаться решением одной из самых известных "болезней" вычислительных систем, называемой "стеной памяти".
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания Samsung планирует в 2013-2014 году начать производство объемной "кубической" памяти.

Многослойная кубическая памятьКомпания Samsung Electronics, один из крупнейших мировых производителей динамической оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM), объявила о своих планах касательно развития направления многослойной кубической памяти (multi-layer hyper memory cube, HMC). Согласно этим планам к концу 2012 года должен быть выработан единый отраслевой стандарт, а массовое производство памяти HMC должно начаться в 2013-2014 году. Память HMC разрабатывается для того, что бы прорваться сквозь узкое место современных вычислительных систем, называемое "барьером памяти /memory wall", которое в настоящее тормозит развитие многоядерных, многозадачных микропроцессорных систем.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.

NAND Flash-памятьПредставители совместного предприятия, созданного Intel и Micron, компании IM Flash Technologies, объявили о разработке новой NAND Flash-памяти, особенностью которой является возможность хранения трех бит информации в одной ячейке. Эта новая память позиционируется как замена обычной Flash-памяти, используемой в картах памяти и USB накопителях. Массовое производство этой памяти уже находится в стадии пусконаладочных работ, первые партии новых чипов будут произведены уже в четвертом квартале этого года.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2