Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти

Ячейка MRAM-памятиВ течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена с очень большой скоростью, такой тип памяти рассматривается в качестве замены полупроводниковой статической памяти (SRAM) и динамической памяти (DRAM). Однако, при создании ячеек MRAM-памяти различного типа ученые сталкивались с рядом достаточно сложных проблем. Исследовательская группа из университета Тохоку (Tohoku University), возглавляемая профессором Хидео Оно (Hideo Ohno) и адъюнкт-профессором Сюнсукэ Фуками (Shunsuke Fukami), разработала структуру ячеек нового типа магнитной памяти, основанных на эффекте индуцированного спин-орбитального момента (spin-orbit-torque, SOT), который обеспечивает быстрое переключение намагниченности ячейки.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 1

Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам памяти, используемым в современной электронике

ДанныеЕще в 2005 году профессор физики Йохан Окермен (Johan Akerman) пророчил, что магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) является одним из главных кандидатов на роль "универсальной памяти", которая станет заменой различным типам памяти, которые можно обнаружить рядом друг с другом в схемах современных электронных устройств. Команда исследователей из Национального университета Сингапура (National University of Singapore, NUS) и Университета науки и техники Короля Абдуллы (King Abdullah University of Science and Technology, KAUST), Саудовская Аравия, разработала новый тип MRAM-памяти, который может сделать реальностью предвидение профессора Окермена.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 4

Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году.

МемристорыПрежде чем покупать новый компьютер с SSD-диском или сам SSD-диск, Вам стоит потратить минутку времени и послушать то, о чем рассказывают представители компании Hewlett-Packard. Компания HP планирует через год-полтора выбросить на рынок технологию, будущую конкурировать с флэш-памятью, а к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 6

FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.

Структура памяти FeTRAMИсследователи из университета Пурду разработали совершенно новый тип компьютерной энергонезависимой памяти, которая близка по быстродействию к памяти, которая используется в современных компьютерах, и которая потребляет гораздо меньше энергии, чем устройства на базе флэш-памяти. Технология памяти FeTRAM основана на комбинации кремниевых нанопроводников с сегнетоэлектрическим полимерным материалом, который меняет свою поляризацию при приложении электрического поля соответствующей полярности. Поляризация материала может быть без труда прочитана как 1 и 0, что позволяет хранение информации в двоичном виде.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 2

IBM разработали новую, быструю память DRAM со сверхвысокой плотностью.

Логотип IBMПодразделение компании IBM, IBM Microelectronics, заявили о том, что они создали новый тип памяти DRAM, которая в настоящее время является самой быстрой и самым большим значением информационной плотности. Новая память изготовлена на базе 32 нм техпроцесса и использует технологию кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI). Благодаря этому, новые микросхемы показывают прирост производительности более чем на 30%, при этом, расходуя на 40% меньше энергии.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0