Созданы 128 Мб чипы STT-MRAM памяти, имеющие рекордно быстрое время записи информации

ПамятьГруппа исследователей из университета Тохоку, Япония, завершила создание первого в своем роде 128 Мб чипа памяти STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory), время записи информации которого не превышает 14 наносекунд. Это время является рекордно быстрым временем записи для различных типов встраиваемой памяти с плотность более чем 100 Мб, а сама такая память, благодаря ее определенным характеристикам, может быть использована в качестве кэш-памяти, памяти для устройств Интернета вещей и искусственного интеллекта.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 0

Ученые компаний IBM и Samsung разрабатывают новую память типа STT-MRAM, которая в будущем может стать заменой флэш-памяти

Сравнение структуры MRAM и STT-MRAM ячеекУченые и инженеры компании IBM, совместно с их коллегами из компании Samsung, опубликовали работу, в которой описываются их достижения в области разработки компьютерной памяти нового типа STT-MRAM (spin-transfer torque (STT) magnetic random-access memory (MRAM)). Созданный ими опытный образец чипа STT-MRAM, емкостью 4 килобита, продемонстрировал время записи информации на уровне 10 наносекунд, при этом потребление тока одной ячейкой составило всего 7.5 микроампера. На кристалле опытного чипа были в целях эксперимента созданы STT-MRAM ячейки различных размеров, от 50 до 11 нанометров, но все они продемонстрировали схожие характеристики.
 | Опубликовано Electronic | Подробнее | Комментарии: 5