|  | 8 августа 2013 | Электроника и полупроводники

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Кристалл чипа RRAM-памяти


Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.

Помимо чрезвычайно высокого показателя плотности хранения информации, 1 ТБ на 200 мм2, и большой скорости чтения-записи, которая составляет порядка 140 МБ/сек, новые чипы памяти могут похвастаться низким значением потребляемой энергии и в надежностью, в 10 раз превышающую надежность хранения данных микросхем Flash-памяти.

Структура чипа RRAM-памяти


Каждая ячейка RRAM-памяти состоит из трех простых компонентов, неметаллического верхнего токоподводящего электрода, средней переключаемой среды из аморфного кремния и нижнего металлического электрода. Механизм изменения сопротивления ячейки памяти основан на создании или разрушении токопроводящего канала-нити внутри аморфного кремния с помощью подаваемых импульсов электрического напряжения. Применение импульсов одной формы, потенциала и длительности приводит к формированию в объеме аморфного кремния токопроводящей нити из металлического кремния, импульсы с другими характеристиками служат для обратного преобразования, преобразования металлического кремния в аморфный.

Еще одной примечательной особенностью чипов RRAM-памяти компании Crossbar является их объемная многослойная структура. Весь массив ячеек памяти размещен в трех слоях, сложенных в виде "бутерброда". Но производство чипов с такой структурой не требует использования новых технологических процессов и оборудования. Массовое производство чипов RRAM-памяти может быть успешно налажено на одном из существующих предприятий, выпускающих полупроводниковые приборы, что было продемонстрировано тем фактом, что опытные образцы чипов новой памяти были изготовлены на обычном заводе одной из организаций-партнеров компании Crossbar.

Снимок чипа RRAM-памяти


"Уникальность нашей технологии заключается в том, что массовое производство новых чипов памяти может быть начато уже через три года. Эта задержка обусловлена не необходимостью модернизации существующего оборудования, а тем, что технология требует еще некоторых доработок" - рассказывает Джордж Минэссиэн (George Minassian), руководитель компании Crossbar, - "Дорабатывая нашу технологию, мы не только будем стремиться сделать ее более технологичной, мы собираемся увеличить количество слоев ячеек памяти, что, в свою очередь, позволит увеличить объем хранимой информации без увеличения площади кристалла и позволит снизить количество потребляемой чипом энергии".

Следуем отметить, что в процессе разработки специалистами компании Crossbar RRAM-памяти было разработано достаточно большое количество новых технологий. В общей сложности компания подала около 100 заявок на патент, 30 из которых уже подтверждены и защищены соответствующими патентами.

Согласно имеющейся информации, внедрение нового типа RRAM-памяти начнется не с выпуска отдельных чипов, а со встраивания этой памяти в законченные решения, так называемые системы-на-чипе, к скорости работы которых и к их надежности предъявляются особо высокие требования. Только после этого можно ожидать, что на рынке появятся микросхемы RRAM-памяти, которые различные производители смогут использовать в конструкциях своих новых смартфонов, планшетных компьютерах и других устройствах.




Ключевые слова:
Резистивная, Память, RRAM, Энергонезависимая, Скорость, Доступ, Запись, Информация, Плотность, Объем, Данные, Энергия, Кремний, Структура, Слой, Трехмерный, Crossbar

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт дан ...
  • Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
  • На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM.
  • Новая Flash-память от Micron и Intel – три бита информации в одной ячейке.
  • Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.




  • 8 августа 2013 11:08
    #1 Написал: faaram

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    140мб/с малая скорость для озу, и даже для пзу
        
    8 августа 2013 13:01
    #2 Написал: SK

    Публикаций: 0
    Комментариев: 67
    faaram
    Не такая уж и маленькая. Насколько я понимаю речь идёт о скорости записи на 1 чип. Но если писать одновременно на несколько чипов как это делается на SSD то и скорость будет выше. Но меня смущает то что в оригинале сказано:

    Crossbar believes it can write data to its chip at 140 megabytes per second, compared to 7 megabytes a second for flash. Read performance is 17 megabytes per second, with a random read latency of 30 nanoseconds.

    Crossbar надеются что смогут записывать со скоростью 140 Мб. Очень уж расплывчатая надежда. Да и скорость чтения не фонтан прям таки.


    Кроме того в первоисточнике сказано что эта новая память в 10 раз долговечнее чем NAND flash и в 20 раз меньше потребляет электроэнергии. Поэтому данная разработка в первую очередь позиционируется для мобильных устройств.
        
    8 августа 2013 21:17
    #3 Написал: Молочный

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    лишь бы не пожадничали... а то какие надежды давались на rambus, но ребята так зажрались что в конце концов все плюнули на их технологию.
        
    1 сентября 2013 04:56
    #4 Написал: Duh_drakona

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    грядут диски моднее чем ssd? smile
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.