Ученые компаний IBM и Samsung разрабатывают новую память типа STT-MRAM, которая в будущем может стать заменой флэш-памяти

Сравнение структуры MRAM и STT-MRAM ячеек


Ученые и инженеры компании IBM, совместно с их коллегами из компании Samsung, опубликовали работу, в которой описываются их достижения в области разработки компьютерной памяти нового типа STT-MRAM (spin-transfer torque (STT) magnetic random-access memory (MRAM)). Созданный ими опытный образец чипа STT-MRAM, емкостью 4 килобита, продемонстрировал время записи информации на уровне 10 наносекунд, при этом потребление тока одной ячейкой составило всего 7.5 микроампера. На кристалле опытного чипа были в целях эксперимента созданы STT-MRAM ячейки различных размеров, от 50 до 11 нанометров, но все они продемонстрировали схожие характеристики.

"Используя уникальные материала и вещества, мы добились работы ячеек STT-MRAM памяти с уровнем ошибок 7*10^-10 при записи информации. Время переключения составляет всего 10 наносекунд, потребляемый ток - 7.5 микроампер, а суммарная энергия - 100 фемтоджоулей" - пишут исследователи, - "Таких показателей невозможно добиться при использовании обычных ячеек магнитной памяти. Но, для того, чтобы поставить память нового типа на промышленные рельсы, нам предстоит проделать немало работы и провести множество дополнительных исследований. Но вы твердо уверены в том, что обязательно придет время, когда память Spin Torque MRAM станет заменой традиционной флэш-памяти".

Согласно имеющейся информации память STT-MRAM минимум в 100 тысяч раз быстрее традиционной флэш-памяти. Кроме этого, она имеет еще несколько значительных преимуществ, главным из которых является то, что информация, записанная в STT-MRAM ячейках, никогда не сотрется, не исказится и не потеряется. Вторым преимуществом является то, что данный тип памяти потребляет энергию только в моменты записи или считывания информации, в моменты, когда память неактивна, чип памяти не потребляет энергию вообще.

Столь очевидные преимущества STT-MRAM памяти перед другими типами памяти, которые являются кандидатами на замену традиционным типам, делают ее предметом повышенного интереса со стороны ведущих производителей компьютерной памяти. А то, что разработкой занялись такие гиганты, как IBM и Samsung, вселяет уверенность в том, что разработка будет доведена до логического конца.

Память STT-MRAM может использоваться в качестве универсальной памяти в устройствах с низким энергопотреблением, к примеру, устройствах из разряда "Интернета вещей" и в мобильных устройствах. К сожалению, не стоит рассчитывать, что память STT-MRAM придет на смену флэш-памяти в самое ближайшее время. Как уже было сказано выше, ученым потребуется еще некоторое время на доведение технологии до уровня крупномасштабного промышленного производства.




Ключевые слова:
IBM, Samsung, Память, STT-MRAM, Чип, Ячейка, Скорость, Запись, Энергия, Ток, Потребление, Замена, Flash

Первоисточник

Другие новости по теме:
  • Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти
  • Память MRAM, изготовленная по новой технологии, станет заменой всем типам п ...
  • Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимо ...
  • FeTRAM - новый тип энергонезависимой памяти, быстрой и экономичной.
  • Технология RRAM – скорый переворот в области оперативной памяти.




  • 21 июля 2016 09:11
    #1 Написал: FomaNeverujuwij

    Публикаций: 0
    Комментариев: 3785
    Все обещают и обещают мемристоры всякие, эту STT-MRAM память, а флэш-память "и ныне там"


    --------------------
        
    21 июля 2016 09:26
    #2 Написал: beany85

    Публикаций: 0
    Комментариев: 1017
    С такими скоростями записи/чтения эту память можно и для замены оперативки использовать, хоть она и не энергозависимая - это даже плюс для портативной электроники. Ждемс...


    --------------------
        
    21 июля 2016 12:38
    #3 Написал: Молочный

    Публикаций: 0
    Комментариев: 0
    она на 25% быстрее ддр3 получается winked если я в расчетах не ошибся ))
    beany85,
    я подозреваю в первую очередь ее и будут пихать как замену оперативки с такими то скоростями )) во флешки она пойдет только когда стоимость производства приблизится к традиционным флехам.
    но ждать да , с их маретингом дай бог через 10 лет её увидеть angry
        
    21 июля 2016 16:23
    #4 Написал: Bond013

    Публикаций: 0
    Комментариев: 246
    Скорость скоростью, а количество перезаписей ограничено?
        
    21 июля 2016 23:05
    #5 Написал: Philosoph

    Публикаций: 0
    Комментариев: 63
    интересно было бы увидеть сравнение этой STT-MRAM(Samsung-IBM) и 3DXpoint (Intel-Micron), что лучше и почему?
        

    Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.